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更新時間：2025-02-26 
瀏覽次數(shù)：167半導(dǎo)體是半導(dǎo)體集成電路的縮寫。該材料具有具有良好傳導(dǎo)電力的“導(dǎo)體”特性的“導(dǎo)體”的性能，也具有“絕緣子”的特性，這些特性很少。
此外，由半導(dǎo)體晶體管（控制電流流）和電子組件（例如二極管）組成的電路有時稱為ICS（集成電路）。 如果您認(rèn)為導(dǎo)體是鐵和絕緣子等金屬，可能會更容易理解。
如上所述，半導(dǎo)體的性質(zhì)是在導(dǎo)電的“導(dǎo)體”材料和不導(dǎo)電的“絕緣子”材料之間存在。從專門的角度來看，“導(dǎo)體”，“絕緣子”和“半導(dǎo)體”之間的差異是“禁止的帶隙”中能量寬度的差異。電子占據(jù)的最高能帶之間的能帶，（價帶）到最的低能帶（導(dǎo)電帶）的（價帶）稱為禁止帶，而價帶和傳導(dǎo)帶是能量兩者之間不存在電子的頻帶稱為禁止帶。沒有禁止皮帶的一個例子是金屬。許多金屬可以輕松地通過電力，這意味著電子可以輕松移動。相反，大型禁止皮帶的例子包括陶瓷，橡膠，玻璃等。由于電子無法移動，因此電力不會流動，通常稱為絕緣體。
另一方面，如果禁止的帶比金屬寬，并且比絕緣子小，則通過將能量施加到熱和電壓等電子中來流動。因此，通過將雜質(zhì)混合到半導(dǎo)體本身中，可以更改電子和（原子）空位的流動，并且可以控制電性能。我們有意添加的這種雜質(zhì)將半導(dǎo)體分為N型和P型。
n型半導(dǎo)體：在元素元素（磷p，磷p，砷，砷，砷，砷，硅，GE等）中的一組V組V（磷，砷AS，砷SB等）中的痕量。 ，仇敵SB等）添加了它的元素當(dāng)添加V組時，V組持有的價電子中的一個多余的電子可以自由移動（自由電子）。游離電子具有負(fù)電荷，當(dāng)它們移動時，它們會降低電阻并向它們施加能量，將它們吸引到 +極中，從而導(dǎo)致電流流動，從而揭示其特性為半導(dǎo)體。
P型半導(dǎo)體：真正的半導(dǎo)體是一種材料，其中將痕量的III組（Boron B，Insigium in等）添加到元素元素IV組（硅，鍺GE等）的元素中元素。當(dāng)將少量III組添加到IV組中時，縮短了一個電子，而缺失的孔稱為孔。如果您在此狀態(tài)下施加電壓，則附近的電子將移至該孔。 此外，由于電子的運動，可以在其他地方形成孔。通過這種重復(fù)，電子似乎越來越多地向極點移動。因此，當(dāng)應(yīng)用能量時，電流被吸引到 +極的流動，從而揭示了其作為半導(dǎo)體的特性。
N型和P型半導(dǎo)體之間的連接提供了僅在一定方向傳遞電流的功能。 由于連接，N型半導(dǎo)體的自由電子和P型半導(dǎo)體的孔相互吸引，并在連接表面結(jié)合并消失。換句話說，連接表面不存在電子，從而導(dǎo)致絕緣子形成相同的狀態(tài)。電子消失的層稱為耗竭層。 在這種絕緣子狀態(tài)下，當(dāng)極連接到N型半導(dǎo)體側(cè)，并且A +極連接到P型半導(dǎo)體側(cè)并施加電壓時，電子從N型流向P型。
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